SISS12DN-T1-GE3 MOSFET, N-CH, 40V, 60A, 150DEG C, 65.7W VISHAY

VISHAYUGS :SISS12DN-T1-GE3 Code de commande:2932961

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VISHAY - SISS12DN-T1-GE3 - Power MOSFET, N Channel, 40 V, 60 A, 0.00161 ohm, PowerPAK 1212, Surface Mount

  • Transistor Polarity: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 60A
  • Drain Source Voltage Vds: 40V
  • On Resistance Rds(on): 0.00161ohm
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V
  • Threshold Voltage Vgs: 2.4V
  • Power Dissipation Pd: 65.7W
  • Transistor Case Style: PowerPAK 1212
  • No. of Pins: 8Pins
  • Operating Temperature Max: 150°C
  • Product Range: TrenchFET Gen IV Series
  • Automotive Qualification Standard: -
  • MSL: MSL 1 - Unlimited
  • SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

Frais de port prévus

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