SI7898DP-T1-GE3 MOSFET, N Ch, 150V, 3a, PPAK SO8 Vishay

VISHAYUGS :SI7898DP-T1-GE3 Code de commande:1794797

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VISHAY - SI7898DP-T1-GE3 - Power MOSFET, N Channel, 150 V, 3 A, 0.068 ohm, SOIC, Surface Mount

  • Transistor Polarity: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 3A
  • Drain Source Voltage Vds: 150V
  • On Resistance Rds(on): 0.068ohm
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V
  • Threshold Voltage Vgs: 2V
  • Power Dissipation Pd: 1.9W
  • Transistor Case Style: SOIC
  • No. of Pins: 8Pins
  • Operating Temperature Max: 150°C
  • Product Range: -
  • Automotive Qualification Standard: -
  • MSL: MSL 1 - Unlimited
  • Current Id Max: 3A
  • Operating Temperature Min: -55°C
  • Operating Temperature Range: -55°C to +150°C
  • Voltage Vgs Max: 20V

Frais de port prévus

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