MMBT5550LT1G Bipolar Transistor ONSEMI

ONSEMIUGS :MMBT5550LT1G Code de commande:1653626

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ONSEMI - MMBT5550LT1G - Bipolar (BJT) Single Transistor, General Purpose, NPN, 140 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Surface Mount

  • Transistor Polarity: NPN
  • Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 140V
  • Transition Frequency ft: -
  • Power Dissipation Pd: 225mW
  • DC Collector Current: 600mA
  • DC Current Gain hFE: 250hFE
  • Transistor Case Style: SOT-23
  • No. of Pins: 3Pins
  • Operating Temperature Max: 150°C
  • Product Range: MMBTxxxx Series
  • Automotive Qualification Standard: AEC-Q101
  • MSL: MSL 1 - Unlimited
  • SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
  • Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on): 60V
  • Current Ic Continuous a Max: 60mA
  • Hfe Min: 250
  • Operating Temperature Min: -55°C
  • Operating Temperature Range: -55°C to +150°C
  • Termination Type: Surface Mount Device
  • Transistor Type: Power Bipolar

Frais de port prévus

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