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NTH4L020N090SC1 - Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 116 A, 900 V, 0.016 ohm, TO-247 - ONSEMI
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NTH4L020N090SC1 - Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 116 A, 900 V, 0.016 ohm, TO-247 - ONSEMI

NTH4L020N090SC1 - Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 116 A, 900 V, 0.016 ohm, TO-247 - ONSEMI

ONSEMIUGS :NTH4L020N090SC1 Code de commande:4079790
Prix:
€50,82

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description

  • Channel Type: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 116A
  • Drain Source On State Resistance: 0.016ohm
  • Drain Source Voltage Vds: 900V
  • Gate Source Threshold Voltage Max: 4.3V
  • MOSFET Module Configuration: Single
  • No. of Pins: 4Pins
  • Operating Temperature Max: 175°C
  • Power Dissipation: 484W
  • Product Range: PW Series
  • Rds(on) Test Voltage: 18V
  • Transistor Case Style: TO-247

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