G2R1000MT33J - Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 4 A, 3.3 kV, 1 ohm, TO-263 (D2PAK) - GENESIC SEMICONDUCTOR

GENESIC SEMICONDUCTORUGS :G2R1000MT33J Code de commande:3598638

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description

  • Channel Type: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 4A
  • Drain Source On State Resistance: 1ohm
  • Drain Source Voltage Vds: 3.3kV
  • Gate Source Threshold Voltage Max: 3.5V
  • MOSFET Module Configuration: Single
  • No. of Pins: 7Pins
  • On Resistance Rds(on): 1ohm
  • Operating Temperature Max: 175°C
  • Power Dissipation: 74W
  • Power Dissipation Pd: 74W
  • Product Range: G2R
  • Rds(on) Test Voltage: 20V
  • Transistor Case Style: TO-263 (D2PAK)
  • Transistor Polarity: N Channel

Frais de port prévus

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